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  • 20236-12
    6英寸高低溫熱臺產品用途介紹

    本產品為6英寸高低溫熱臺,能夠在高溫400度和低溫-120度的環境中工作。它是一種用于實驗室、研究及工業生產過程中進行精確溫度控制的設備,廣泛應用于各類材料的熱處理、熱性能測試、化學反應、生物樣品處理等方面。本產品具有溫度范圍廣、控溫精度高、操作簡便及使用安全等特點,是實驗室及工業領域非常理想的高低溫熱臺設備。產品用途:1.材料熱處理:廣泛應用于金屬、陶瓷、塑料、粉末、納米材料等領域的熱處理、退火、焊接和熔化等工藝過程。2.熱性能測試:可用于材料的導熱系數、熱膨脹系數、比熱容...

  • 20235-27
    高低溫探針臺-解釋塞貝克系數測量原理及系數

    塞貝克系數(SeebeckCoefficient)也稱為熱電偶效應或Seebeck效應,是指兩種不同導體(或半導體)材料在一定溫差下產生熱電動勢的現象。塞貝克系數是研究熱電材料(將熱能轉化為電能的材料)非常重要的一個參數,它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。塞貝克系數的測量方法有很多種,其中一種常用的方法是恒流法。首先準備一個熱電偶,它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個節點保持在恒定的高溫T1,而另一個節點保持在低溫T2(不同于T1),使熱電偶產生熱電動勢(...

  • 20235-26
    真空加熱腔體的正確操作步驟

    真空加熱腔體是一種用于加熱材料的裝置,其原理是在真空環境下對材料進行加熱,通過熱傳導的方式使其達到所需溫度。與常壓加熱相比,真空加熱可以減少氧化反應、避免污染、增加溫度控制的精度等優點。由真空室、加熱元件、溫度控制器等組成。真空室內部的氣體與外界隔絕,可以通過真空泵將其抽出,使腔內產生真空環境。加熱元件一般由加熱器、熱交換器和傳感器等部分組成,加熱器主要是產生熱量,熱交換器用于將熱能傳遞給腔體內的物質,傳感器則用于監測溫度。溫度控制器根據傳感器讀數控制加熱器的加熱功率,以保持...

  • 20235-25
    等離子清洗機操作介紹

    真空度顯示:顯示腔體內部的真空度數值運行程序段:分為3個步驟,綠色表示運行狀態①真空泵啟動②射頻電源打開③放氣進氣流量顯示:通過調節A、B流量調節閥調節氣體進入腔體的大小,在兩個圖標顯示,上部顯示為A流量,下部顯示為B流量時間:顯示設備清洗時間功率:顯示當前設備清洗是清洗功率設備溫度:顯示當前射頻電源設備溫度放氣狀態:顯示當前放氣閥開啟或關閉狀態清洗時間:點擊可設置設備運行清洗時間清洗功率:點擊可設置設備運行清洗功率開始運行:點擊可切換設備開始運行或者停止運行參數設置:非專業...

  • 20235-8
    氫氧機安裝步驟

    1、氫氧機1500w需要獨立插座2、配置溶液需要提前配置液體配置流程在通風良好處,帶好防護措施手套口罩10升左右的純水(蒸餾水或去離子水)。容器和攪拌棒需要塑料或者玻璃材質,然后將箱子里的三桶氫氧化鉀緩慢的倒入水桶中,同時攪拌(液體會放出熱量及刺激性氣味,具有腐蝕性),攪拌至全部溶解為止。放置在通風處到常溫狀態設備加入容易之后可以前后推動搖晃一下以便在腔體內部均勻分布3、添加過濾溶液4、連接管道管道連接順序出氣口→管道→回火閥→火焰槍頭火焰槍頭一般選取最大號(出氣口最大的)注...

  • 20234-17
    小型濺射儀問題解答

    小型濺射儀儀問儀答最近小伙伴對于濺射儀使用和技術參數問的問題比較多,今天總結一下濺射儀的一些常見的技術問題:1、膜厚檢測儀原理:膜厚監測儀是采用石英晶體振蕩原理,利用頻率測量技術加上*數學算法,進行膜厚的在線鍍膜速率和實時厚度計算。主要應用于MBE、OLED或金屬熱蒸發、磁控濺射設備的薄膜制備過程中,對膜層厚度及鍍膜速率進行實時監測。2、濺射儀是否可以鍍鎳:可以鍍鎳但是鎳是導磁金屬所以需要靶材盡量薄0.5mm-1mm最好太厚磁場無法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調節:1靶...

  • 20234-17
    高低溫真空探針臺的使用方法非常簡單,一看就會

    高低溫真空探針臺適用于各種場合下的材料表面處理實驗和研究、包括晶體生長、化學氣相沉積、材料蝕刻、物理蒸發、表面定量分析、測試小時過程等。它是一種非常有效的用于研究各種新型材料的技術工具,如半導體、涂層、金屬、陶瓷、光學和納米復合材料等領域,主要用于測試物品在高低溫和真空環境下的性能表現。高低溫真空探針臺的使用方法:1.按照說明書所示步驟進行安裝調試,并保證連接牢固、接口不漏氣,以確保測試結果準確可靠。2.儀器啟動后應根據需要和規定時間預熱,然后在正式測試之前要對儀器進行調整,...

  • 20234-1
    你并不了解小型濺射儀

    小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表...

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